IPP060N06NAKSA1 datasheet
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>> IPP060N06NAKSA1 MOSFET MV POWER MOS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
IPP060N06NAKSA1
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET MV POWER MOS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET MV POWER MOS
IPP060N06NAKSA1 PDF下载
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
60 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
45 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
6 mOhms
配置
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO220-3
封装
Tube
相关资料
属性
链接
代理商
IPP060N06NAKSA1
IPP062NE7N3
IPP062NE7N3 G
IPP062NE7N3G
IPP065N03L
IPP065N03L G
供应商
公司名
电话
北京首天伟业科技有限公司
010-62565447
刘先生
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
北京京北通宇电子元件有限公司
13969210552
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深圳市特瑞斯科技有限公司
0755-82774819
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昆山开发区美科微电子商行
18951125455
易春花
IPP060N06NAKSA1 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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