买卖IC网 >> 产品目录 >> IPP060N06NAKSA1 MOSFET MV POWER MOS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

IPP060N06NAKSA1

库存数量:可订货
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET MV POWER MOS
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET MV POWER MOS
IPP060N06NAKSA1 PDF下载
制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 60 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 45 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 6 mOhms
配置
最大工作温度 + 175 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 PG-TO220-3
封装 Tube
相关资料
供应商
公司名
电话
北京首天伟业科技有限公司 010-62565447 刘先生
深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645
北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697 雷春艳
北京京北通宇电子元件有限公司 13969210552 王女士
深圳市特瑞斯科技有限公司 0755-82774819 李先生
万三科技(深圳)有限公司 17722625241 张国龙
深圳市弈芯科技有限公司 19537950412 何先生
昆山开发区美科微电子商行 18951125455 易春花
  • IPP060N06NAKSA1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价